无需拆机即可检测新iPhone的NAND架构

　　自 iPhone 6 发布之后，网上就传出了各种各样的硬件问题，其中比较“著名”的要数“弯弯门”了，另外在 NAND（闪存）方面，也曝出过不好的新闻。早前更是有消息指出苹果计划召回 128GB 的新 iPhone（虽然后来没有了下文）。

　　根据韩国媒体 BusinessKorea 的报导，苹果正在考虑将 iPhone 6 和 iPhone 6 Plus 的 NAND 闪存构架从三阶储存单元（Triple-Level Cell，即 TLC）改为多阶储存单元（Multi-Level Cell，即 MLC），其主要原因就是前段时间曝出的 NAND 闪存引起的崩溃现象。而主要出现这种问题的设备主要集中在 64GB 和 128GB 的新 iPhone 上。

　　那么如何检测自己的 iPhone 闪存是否使用了 TLC 的架构呢？网友 jocover 和我们分享了一个安装越狱插件检测的方法，该方法除了可以检测出闪存的架构之外，还可以检测出闪存的供应商（苹果在闪存方面使用了不同的供应商）。

　　越狱检测方法

　　教程：

　　安装后用putty或ssh链接到iphone 后输入(用户名root密码alpine，教程有很多，自己找下)

　　01. ioreg -lw0|grep "Device Characteristics"

　　以下是我的设备截图

　　可以看到使用了16nm工艺的64Gb颗粒，caus是8代表有8块，64Gb*8=512Gb，位换算成字节就是64GB NAND存储器，供应商是Hynix，固件版本为050260P_HYX_BD16。

　　注意：capacity字段对应实际容量，"default-bits-per-cell"=3代表是TLC

　　最后测试完之后建议删除openssh或者用盘古工具更改默认密码，防止手机被黑

　　SLC、MLC、TLC区别

　　SLC   默认1个存储器储存单元存放1位元，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命.

　　MLC  默认1个存储器储存单元存放2位元，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命.

　　TLC   默认1个存储器储存单元存放3位元，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

　　目前已知iphone 6供应商如下芯片，标记红色为可能含有TLC问题的芯片：

　　Hynix：16GB、64GB

　　Toshiba：16GB、64GB（部分颗粒为128Gb的为TLC芯片）、128GB 

　　Sandisk：64GB、128GB