7nm工艺高通推全新5G基带全网通
今天,高通官方宣布推出旗下的第二代5G芯片“骁龙X55”,这是一款采用7nm工艺打造的产品。
作为对比,高通在2016年底发布的骁龙X50采用了28nm工艺制造,虽然支持5G,但对频段的支持并不全,而且必须与骁龙855内置基带合作才能支持2G/3G/4G,同时功耗和发热都不够理想。
而本次发布的骁龙X55基本上就没有任何槽点了,7nm工艺完美控制了体积和发热量,而且升级到了5G多模,并向下兼容2G/3G/4G网络,可以说是5G全网通了。
规格方面,在4G网络下最高支持LTE Cat.22,同时还有八载波聚合以及256-QAM,最高下行速度2.5Gbps。
5G网络方面,骁龙X55支持26GHz、28GHz、39GHz三个毫米波段,以及TDD/FDD双模式的5G NR 6GHz以下频段(骁龙X50仅支持28GHz、39GHz两个毫米波段,以及TDD模式5G NR 6GHz以下频段)。
为了搭配骁龙X55基带,高通还发布了新的毫米波天线模块“QTM525”,取代此前的QTM052。
高通称新模块的体积更小,可放入厚度不到8毫米的轻薄手机中,规格方面维持相同的2x2 MIMO 800MHz带宽,毫米波段速度最高6Gbps,在LTE 4G模式下叠加6GHz以下频段后最高可达7Gbps。
此外,高通还同时发布了两款新的5G RF射频方案,5G包络跟踪器“QET6100”、5G NR适应性天线调节器“QAT3555”。
其中,QET6100是首个支持100MHz上传频段的5G ET方案,此前最高仅支持40MHz。高通称新方案的能效最高提升了2倍,有利于延长电池续航,并改善了室内网络、256-QAM的覆盖能力和网络利用率。
而QAT3555支持数量庞大的5G天线,600MHz-6GHz频率全覆盖,而且封装厚度减小了25%。对比前代产品,它还加强了室内覆盖,提高了能效,持续数据传输率更高更稳,简单来说就是避免了死亡之握。
遗憾的是,即将发布的首批搭载骁龙855移动平台的5G手机应该还是搭配的X50 5G基带,X55基带的出货时间会是今年晚些时候。
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