磷化铟晶圆和外延片市场现状与未来

光子集成电路应用（电信、数据通信、激光雷达和感测器等）正在推动磷化铟（InP）晶圆市场的发展！

数据通信是磷化铟晶圆市场的重要推动者

2

作为重要的三五族化合物半导体之一，磷化铟（InP）具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点，在两大应用领域拥有关键优势：

（1）光子领域：波长为1000nm以上的发射和探测能力；（2）射频领域：高频RF应用中的高速和低噪声性能。

目前，InP晶圆市场的真正推动力在于光子应用。

在光通信中，InP在许多功能中提供高性能，包括发射、探测、调制和混合等，但由于其高成本，InP经常受到其它半导体技术的挑战。然而，InP是电信和数据通信应用中的收发器激光二极管不可或缺的构建模块。针对最近放缓的周期性电信市场，我们预计未来5G网络将会产生大规模投资计划。预计到2024年，电信领域的InP晶圆市场预计将达到5300万美元左右。

InP晶圆市场预测

数据通信领域的InP晶圆市场即将爆发，预计2017～2024年期间的复合年增长率高达28％。高频器件的InP产品在超过十几赫兹的频率范围的应用前景更大，因此基于InP的器件在毫米波通讯、图像感测等新的领域也有市场前景。

InP产业：在器件层面有众多参与者，在外延片和晶圆层面则高度集中

InP产业有各种不同的商业模式和众多参与者。值得注意的是，从晶圆到器件制造，该市场的集中度是不一样的。在器件层面，我们发现了30多家InP代工厂和集成制造晶圆厂（fab），其中大部分目前专注于光子集成电路芯片。InP晶圆厂遍布全球各地，从美国到欧洲和亚洲。大多数参与者都是拥有自己产品的集成制造晶圆厂，我们预计未来几年外包比例不会迅速发展。

InP市场供应链纵览（光子和射频两大应用）

与器件制造相反，外延片市场则非常集中。Landmark是该市场上的领导者，专注于光子应用。另外，IQE则在光子和射频应用产品方面发挥着关键作用。

如果受到硅光子的挑战，那么基于InP的光子集成电路的未来在哪？

光子集成电路（Photonic IC， PIC）并不是一个新概念。它于1969年首次被提出，从那时起，人们研究和开发了多种不同的光子集成电路平台，采用InP制造的激光器、光电二极管和波导管能够以玻璃光纤的最佳传输窗口工作，从而可实现高效的光纤通信。

基于InP的光子集成电路应用纵览

光通信器件主要采用基于InP的材料，波长单色性很好的InP激光器、调制器、探测器及其模块已广泛应用于光通信，从而推动数据传输的飞速发展。基于InP的半导体激光器主要是边发射激光器，有分散式反馈激光（DFB）、电吸收调制激光器（EML）两种类型，DFB可实现速率在25G及以下，传输距离在10千米以内，适用于数据中心、城域网及接入网；EML可实现速率在50G及以下，传输距离在80千米以内，主要适用于骨干网、城域网及DCI互联。

近年来，基于InP的光子集成电路面临硅光子的激烈竞争：由于大尺寸、高质量的硅晶圆，硅光子在大批量应用中的成本优势毋庸置疑。虽然InP面临（并将继续面临）来自光子应用的其它材料竞争，但是InP的直接带隙使其具有激光二极管应用的独特之处。未来可满足医疗、高端激光雷达（LiDAR）、感测及光通信等多种市场需求。这些领域的厂商可能会利用现有的电信／数据通信供应链来加速发展。

来源：麦姆斯咨询