Hynix研发垂直堆叠内存 带宽256GB/ s

　　Hynix正在和AMD联合研发高带宽的内存HBM，它采用堆叠DRAM设计，采用和处理器相同的封包。目前也已经有JEDEC标准管理接口。现在，Hynix官方公布了这种内存的前瞻性演示幻灯片。根据幻灯片，Hynix第一代垂直堆叠内存采用4个DRAM芯片堆叠在一个基础层之上，采用名为“穿透硅通孔”的垂直通道相连，有256个这样的通道，每一通道带宽达到1Gbps，总带宽达到了惊人的128GB/秒。目前，GeForce GTX750 Ti显存界面带宽仅有86GB/s。

　　Hynix目前采用256MB分层堆叠，形成1GB堆栈。演示表明这仅仅是个开始。Hynix计划到2022年推出HBM迭代产品，改进密度和性能。幻灯片显示，HBM第二代产品每pin传输带宽翻倍，接口带宽达到256GB/s，将高于高端GeForce GTX980显存界面带宽。

　　下一代垂直堆叠内存每个die容量将达到1GB，让垂直堆叠内存容量达到4GB，从幻灯片看起来八die配置也将是一种选择，最大容量提高到8GB。

　　虽然幻灯片没有提到采用HBM的具体产品，但是幻灯片表示，21款采用HBM技术的产品正在研发当中。其中之一可能是AMD即将到来的Carrizo APU，之前传闻它将内建垂直堆叠内存。