iPhone6Plus出缺陷召回？苹果回应不可能

　　早在10月份iPhone 6开始大规模铺货的时候，外媒就报道称，许多的用户在论坛发帖反映iPhone 6 Plus在使用过程中遭遇了严重问题，经常会无故崩溃，导致操作中断无法进行，或者是进入无限重启循环中，有些人已经为此找苹果的售后更换了4部手机。

　　鉴于该问题在128GB版的iPhone 6 Plus上表现最为明显，并且出现问题的手机多是安装了大量应用，所以昨日Businesskorea网站推测，该问题的出现可能是跟三阶储存单元（TLC）NAND型快闪记忆体（NAND flash）的控制IC有关，而该问题对于iPhone来说还是首次出现，因为之前iPhone使用的是MLC NAND闪存，为了节省成本，本次却换用了较为廉价的TLC NAND存储器控制，虽然存容量更多，但是读取和写入的速度均比较慢，最后该报告还宣称，倘若TLC闪存真的是iPhone 6 Plus出现崩溃故障的原因，那么iPhone 6 Plus或许将面临大规模召回的局面。

　　在议论纷纭中，今日苹果内部人士称，召回一说完全是虚假的，因为苹果官方支持论坛上有关崩溃的帖子并不多，之前苹果反应的崩溃问题大多是用户自己操作不当引起。

　　对此凤凰数码给出了一个详细的解释，他们称“iPhone 6 Plus并不存在报道中所述的问题，说召回更是子虚乌有的事情”。详细内容来看一下：

　　iPhone 6 Plus用的真是TLC？

　　首先了解一下iPhone 6 Plus所用的闪存芯片。从之前iPhone 6 Plus的拆解中，我们可以看到其所用的闪存芯片规格：海力士H2JTDG8UD1BMS。

　　iPhone 6 Plus采用的海力士H2JTDG8UD1BMS闪存芯片

　　这块记忆体属于iPhone 6 Plus专属型号，所以外界对它的分析比较少。不过笔者还是在Techinsight网站上找到了它的详细数据：16nm制程，MLC存储单元。这项资料基于扫描电子显微镜（SEM）和投射电子显微镜（TEM）等设备的观测结果给出，可以算是相当权威了。

　　海力士H2JTDG8UD1BMS闪存芯片采用MLC存储单元

　　由此我们认为，报道对iPhone 6 Plus的描述是完全失实的，其存储芯片采用的并非三阶单元（TLC），而是多层单元（MLC），与iPhone 5s所采用海力士H2JTDG8UD3MBR一致。然后，苹果要为了这个大面积召回iPhone 6 Plus？我读书少不要骗我……

　　就算用了TLC又能咋地？

　　目前市面上的闪存主要采用SLC（单层存储单元）、MLC（多层存储单元）和TLC（三阶存储单元）三种技术，在读写寿命和成本方面三者依次递减，但它们都是非常成熟的技术，因此数码厂商会根据自家产品的定位和成本决定要用哪种存储单元。TLC每32GB成本约为9-12美元，比SLC的30-35美元和MLC的17美元都要低上不少，而TLC读写寿命约为5000次，是三者之中最低的。那么即使iPhone 6 Plus想钱想疯了，硬要配上一个TLC芯片，就真的会出现稳定度差、寿命不足的问题吗？

　　这里要再次强调一下大家在理解上的一个误区，所谓“XXX次读写寿命”并非指简单的读一次、写一次，而是把整个存储单元进行一次全盘读写一遍才算做一次。举个例子，一块128GB的TLC记忆体，完全读写128GB的数据后，才算消耗了1次寿命，如此的步骤重复5000次，你才有可能把它玩坏，简单地读写1KB、2KB，那种程度连0.001次都算不上。存储容量越大，TLC的寿命就越长。大家可以把它放到实际使用场景中计算一下，在iPhone 10出现之前你根本不可能玩坏它的。

　　再者，存储的稳定性和存储单元用SLC、MLC还是TLC扯不上半毛钱的关系，关键还得看闪存颗粒和主控IC的质量，你就算说iPhone 6 Plus可能存在稳定性问题，也不能把责任推卸给TLC。在固态硬盘领域，包括三星840 EVO（500GB）等部分型号在内的很多SSD都在采用TLC单元，这些产品不仅具备很高的可靠性，而且在读写速度方面也不会和MLC拉开明显的差距。

　　三星840 EVO（500GB）

　　如此看来，那篇报道似乎无论如何都说不通，苹果大面积回收？别闹了。事儿再大有“弯曲门”大么？那时苹果大面积回收了么？