流言终结者：剖析iPhone6 Plus召回传闻

　　据港媒报道，iPhone 6 Plus近期不断传出储存功能出包，手机系统会发生崩溃、不断重开机等现象。若情况属实，苹果(Apple Inc.)很可能会全面召回iPhone 6 Plus手机。

　　据自由时报网消息，《AppleInsider》上个月就曾报道，iPhone 6 Plus只要使用者安装超过700项应用程式(App)后，手机系统就会发生问题，不断重新开机。有不少使用者都发生上述的情况，其中以128GB的机种情况最严重。

　　根据韩国媒体《BusinessKorea》昨日报道，苹果很有可能为了减少大尺寸、大容量机款的成本，选择了稳定度较差的NAND快闪记忆体，其中的控制IC很有可能就是罪魁祸首。

　　近日，这段话这几日被各大小道消息转载，各类厂商都已经准备普天同庆iPhone 6 Plus要被召回了。

　　“128G的iPhone6/Plus会莫名崩溃，恐导致大规模召回”的新闻在网上疯传，并且引起了不少苹果用户的担心，尤其是那些根据“要买就买顶配”的买买买原则而选择了128G的iPhone的用户。不过新闻内容却引起了笔者的好奇，根据报道内容：

苹果园专题：苹果iPhone6/6Plus全知道

　　“引起iPhone崩溃的原因竟然是NAND FLASHMEMORY（闪存）模块中IC控制单元出现故障，并且苹果为了减少成本使用了低价的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY.因此当用户安装超过700个App时，iPhone便会自己崩溃，更令消费者感到担忧的是最新的iOS8.1更新中这个问题并未解决，问题是出在硬件上。”

　　消息称，苹果为了节省成本而在128GB iPhone 6 Plus 与其他一些型号使用了TLC。而在此之前，TLC都只用在部分iPad上，而价格更高、稳定度更高的MLC则应用于iPhone。

　　网上很多报道显示，读取性能差的三星SSD840和840EVO使用了TLC闪存，因此控制器集成电路的问题被认为是导致缺陷的最可能原因。随着对SSD840和840EVO争议的上升，三星不得不升级了固件。部分业界人士认为，倘若TLC真的是iPhone 6 Plus 系统崩溃的主因，那么苹果也许会召回已经出售的所有产品。

　　NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么？

　　首先FLASH MEMORY作为闪存设备，是手机类设备的重要存储介质，由日本的东芝公司于1984年发明。在FLASH MEMORY中又分为NOR FLASH和NAND FLASH两种常见的类型，其中NOR FLASH属于第一代产品，第一款商用产品是1988年Intel公司所制造的NOR FLASH芯片，不过由于抹写时间较长，成本较高的原因，NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同样是有东芝公司发明，在1988年的国际固态电路研讨会（ISSCC）所发布。NAND FLASH具有较快的抹写时间， 而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND FLASH相较于NOR FLASH具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR FLASH十倍。

　　在FLASH模块中，数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元（Single-level cell, SLC）设备中，每个单元只存储1比特的信息，这简称为SLC NAND FLASH,其优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长，不过缺点也很明显：每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，因此不利于实际生产。

　　而多阶存储单元（Multi-level cell, MLC）设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储2比特以上的数据，其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶（即多个电压值），如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC闪存可降低生产成本，但比起SLC闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡中。

　　而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元（Triple-Level Cell, TLC）TLC闪存，它的架构原理与MLC类似，但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢，寿命也比SLC和MLC短，大约1000次，但是可以做到大容量和低价格。现在，厂商已不使用TLC这个名字，而是称其为3-bit MLC.

　　iPhone中到底用了什么FLASH MEMORY

　　在韩国媒体的报道中“iPhone 不仅使用了成本更低的NAND TLC FLASH,更重要的是在其控制集成电路（IC）出现了故障。”在iPhone内部，这块IC主要任务是其他电子元器件和NAND之间的调度和控制，保证数据的正常写入和读取，平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。

　　那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样？带着好奇，笔者查阅ifixit的拆机资。根据128G的真机实拆图显示，其采用来自韩国的海力士（SKhynix）的NAND FLASH,型号为H2JTDG8UD1BMS.（图中红色部分）

　　这颗NAND FLASH在海力士的技术文档中被归为E2NAND 3.0,是由SK Hynix和Anobit合作开发的，而Anobit早已被苹果收购，致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注H2JTDG8UD1BMS的类型，但是在全球领先的微电子服务网站TechInsights上，H2JTDG8UD1BMS被明确规范为NAND MLC FLASH MEMORY.

　　因此此次韩国媒体存在着失实情况，iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY,而非所谓的廉价NAND TLC FLASH MEMORY.而至于这块FLASH中的控制IC是否存在问题，目前苹果官方并未出面解释，在其他媒体上也未见反映，因此需要进一步确认。

　　有苹果内部人士透露，对于iPhone 6 Plus因质量召回说法，完全是虚假的，因为该机完全没有问题，之前苹果论坛出现的反馈，是用户自己操作不当引起。

打脸还在继续

　　就在今天，外媒imore、9to5mac等媒体报道称，“召回”的事恐怕并不存在，这件事被一些媒体放大了，而“召回”目前还只是谣言。

　　这则消息出自Business Korea及台湾《中时电子报》(啥事都少不了棒子和台媒)，称一些用户的iPhone 6 Plus频繁死机，他们分析原因可能是TLC NAND存储器控制IC的缺陷。虽然存容量更多，但是读取/写入的速度比较慢。据说有不少用户在苹果的官方论坛表示，自己的iPhone 6 Plus因为此问题已经送修多次。

　　由此，得出结论是iPhone 6/6 Plus可能会被大规模召回。(神逻辑!)

　　但9to5mac报道称，他们自己的消息源证实所谓的召回纯属谣言，确实有iPhone 6 Plus出现了崩溃，但不是“大量”。截至发稿，苹果官方支持论坛上关于崩溃的帖子：

　　共有100多个回复，而且，即便是这样，这些回复也有很多来自同一个人。而谈到崩溃的这些用户通常安装了500或1000个应用。

　　imore.com的主编勒内·里奇(Rene Ritchie)则发文谈到，召回传闻中并没言明来自谁的说法，只是含混提到来自“一些业内人士”。文末，他顺便提到，自己的128 GB iPhone 6 Plus没出现以上问题，而且他认为自己这手机“用的相当狠”。(大神们补得一手好刀。)

　　有消息说，苹果已经了解问题。目前，受影响的用户数量还没有具体的确定。在苹果技术论坛有用户反映出现问题，但是似乎问题并不是非常普遍。推测该问题与闪存有关未必准确，而被放大到“召回”也并不是负责的做法。